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J-GLOBAL ID：200903092940329385

ドライエッチング方法及びドライエッチング装置

Inventor： 組橋 孝生 ,  辻本 和典 ,  田地 新一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 中村 純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991205974
Publication number (International publication number)：1993234959
Application date： Aug. 16, 1991
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】半導体製造プロセスのドライエッチングにおいて、材料間の高選択比エッチングを実現することのできるドライエッチング方法及びドライエッチング装置を提供すること。【構成】上記目的は、エッチングしたい物質、エッチングしたくない物質の構成原子に合わせて入射イオンの質量を制御すること、エッチングしたい物質、エッチングしたくない物質の構成原子の質量差を大きくすること、ドライエッチング装置にホットスポット温度の測定手段及び制御手段を追加して設けることなどによって達成することができる。

Claim (excerpt)：

プラズマを用いるドライエッチング方法において、入射イオンから被エッチング材各構成原子へのエネルギー伝達効率が、入射イオンからマスク材各構成原子へのエネルギー伝達効率よりも大なること、もしくは、マスク材及び下地層各構成原子へのエネルギー伝達効率よりも大なることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭63-114215
  
• 特開昭60-204877
  
• 特開昭63-317683
  
• 特開昭55-028389
  
• 特開平1-231326