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J-GLOBAL ID：200903092943192453

制御された無電解メッキ

Inventor： プラシツト・スリシヤロンチエイキツト ,  ゲイリイ・エス・カラブレス ,  マイケル・ギユラ
Applicant, Patent owner： シツプリイ・カンパニイ・インコーポレイテツド
Agent (1)： 川口 義雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992189996
Publication number (International publication number)：1993202484
Application date： Jun. 24, 1992
Publication date： Aug. 10, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 金属薄膜を微細な特徴のパターンで制御した速度で無電解メッキ法によりメッキするのに適する組成物及び方法を提供する。【構成】 金属イオン源,該金属イオンの錯化剤,触媒表面の存在下で該金属イオンを金属の形態に還元できる還元剤及びpH調整剤を含み,該金属イオンを1lあたり0.020モルを超えない濃度で存在させ,溶液成分をメッキ速度かほぼ室温に保たれた溶液から1分あたり100オングストロームを超えないような濃度で溶液中に存在させる。

Claim (excerpt)：

金属イオン源、該金属イオンの錯化剤、触媒表面の存在下で該金属イオンを金属の形態に還元できる還元剤及びpH調整剤を含み、該金属イオンを1lあたり0.020モルを超えない濃度で存在させ、溶液成分をメッキ速度がほぼ室温に保たれた溶液から1分あたり100オングストロームを超えないような濃度で溶液中に存在させることを特徴とする無電解金属メッキ水溶液。

IPC (4)：

C23C 18/31 ,  C23C 18/20 ,  C23C 18/34 ,  H05K 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭63-020486