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J-GLOBAL ID：200903092944497843

半導体結晶の成長方法及びMOS型トランジスタの作製方法

Inventor： 山本 博士
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992314263
Publication number (International publication number)：1994151305
Application date： Oct. 30, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】より結晶欠陥を少なくすることができ、均一に結晶成長させ得る半導体結晶の成長方法を提供する。【構成】半導体結晶の成長方法は、非晶質シリコン層16を絶縁基板10上に形成し、非晶質シリコン層16から結晶粒22を形成する。そして、分離された1つの非晶質シリコン層の領域16A内に、1カ所にのみ核成長の種となる核成長領域18を形成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

非晶質シリコン層を絶縁基板上に形成し、該非晶質シリコン層から結晶粒を形成する半導体結晶の成長方法であって、分離された1つの非晶質シリコン層の領域内に、1カ所にのみ核成長の種となる核成長領域を形成することを特徴とする半導体結晶の成長方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (3)：

H01L 21/265 Q ,  H01L 21/265 P ,  H01L 29/78 311 Y