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J-GLOBAL ID：200903092976260047

レジストパターンおよび薄膜金属パターンの形成方法

Inventor： 小高 勇
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993314696
Publication number (International publication number)：1995168368
Application date： Dec. 15, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】耐熱性のあるステンシル形状のレジストパターンの形成方法と、これをマスクとしてリフトオフ法によりバリの生じない良好な薄膜金属パターンを形成する方法を提供する。【構成】半導体基板上にレジストを形成した後、所望のパターン露光と有機溶媒処理を行って上記レジストの表層部に難溶可性層を形成する工程と、レジストパターンの断面形状を、レジスト表層部の開口部よりも基板面の開口部を広くした庇のあるステンシル形状に現像する工程と、上記ステンシル形状のレジストパターンに遠紫外線を照射して耐熱性を付与する工程と、これをマスクとして、薄膜金属を蒸着した後、上記レジストパターンを除去して半導体基板上に薄膜金属パターンを形成する工程を含む薄膜金属パターンの形成方法。【効果】薄膜金属の蒸着による温度上昇があってもステンシル形状のレジストパターンの変形が生じないので、バリの無い良好な薄膜金属パターンが得られる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にレジストを形成した後、所望のパターン露光と有機溶媒処理を行って上記レジストの表層部に難溶可性層を形成する工程と、レジストパターンの断面形状を、レジスト表層部の開口部よりも基板面の開口部を広くしたステンシル形状のレジストパターンに現像する工程と、上記ステンシル形状のレジストパターンに遠紫外線を照射して耐熱性を付与する工程を含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (5)：

G03F 7/26 513 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/40 501 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/30 576 ,  H01L 21/302 K