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J-GLOBAL ID：200903092980562848

不揮発性記憶装置およびその製造方法

Inventor： 田中 陽
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 国則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992289476
Publication number (International publication number)：1994120516
Application date： Oct. 01, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、ゲート電圧を高くすることなく、ホットエレクトロンの発生率とともにフローティングゲートへのホットエレクトロンの注入確率を高めて、データの書き込み特性の向上を図る。【構成】 フローティングゲート14の下方におけるソース領域17側またはドレイン領域18側の少なくともいずれか一方の半導体基板11の上層に設けた溝12の内部に、第1のゲート絶縁膜13を介してフローティングゲート14の一部分を埋め込み、かつ溝12の周囲の半導体基板11にソース領域17またはドレイン領域18とほぼ同等の不純物濃度を有する不純物導入領域19を設けたものである。また溝12を不揮発性記憶装置10に形成される空乏層20にかかる状態に設けたものである。

Claim (excerpt)：

フローティングゲートとコントロールゲートとの2層ゲート構造を有し、フローティングゲートの両側の半導体基板の上層にソース領域とドレイン領域とを形成した不揮発性記憶装置において、前記フローティングゲートの下方における前記ソース領域側または前記ドレイン領域側の少なくともいずれか一方の半導体基板の上層に溝を形成し、当該溝の内部に、ゲート絶縁膜を介して当該フローティングゲートの一部分を埋め込み、かつ当該溝の周囲の半導体基板に当該ソース領域または当該ドレイン領域とほぼ同等の不純物濃度を有する不純物導入領域を設けたことを特徴とする不揮発性記憶装置。

IPC (3)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434