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J-GLOBAL ID：200903092989185400

光電変換材料用半導体、光電変換素子及び太陽電池

Inventor： 大福 幸司 ,  香川 宣明
Applicant, Patent owner： コニカミノルタホールディングス株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003112598
Publication number (International publication number)：2004319309
Application date： Apr. 17, 2003
Publication date： Nov. 11, 2004
Summary：

【課題】高い光電変換効率と優れた安定性とを示す光電変換材料用半導体、光電変換素子及び太陽電池を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で表される色素を含むことを特徴とする光電変換材料用半導体。【化1】(式中、Z及びZ′は各々独立して、炭素原子と共に5〜6員環を形成するために必要な原子団を表わし、それぞれの環は、少なくとも1つはカルボキシル基またはカルボキシル基を有する置換基を有し、B1及びB2は各々独立して-C(R1)R2-又は-NR3-を表し、R1〜R3は水素原子又は置換基を表す。)【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

一般式(1)で表される色素を含むことを特徴とする光電変換材料用半導体。

IPC (2)：

H01M14/00 ,  H01L31/04

FI (2)：

H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z

F-Term (14)：

4H056DD06 ,  4H056EA13 ,  4H056FA10 ,  5F051AA07 ,  5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE16 ,  5H032EE20