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J-GLOBAL ID:200903092999306362

近接場光プローブ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 樺山 亨 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998334505
Publication number (International publication number):2000164915
Application date: Nov. 25, 1998
Publication date: Jun. 16, 2000
Summary:
【要約】【課題】微小開口から近接場光を発生しながら、光検出動作を安定かつ高感度に行うことができ、さらには、微小開口が単数であっても複数であっても、半導体光検出器のCR時定数の増大を防ぎ、高速な動作が可能な近接場光プローブを提供する。【解決手段】本発明の近接場光プローブにおいては、半導体光検出器(PD)が形成された基板に、微小開口50を有する貫通孔40を設けた構造からなり、上記半導体光検出器(PD)の受光領域(第二導電型の不純物導入領域)30を上記微小開口50の近傍に限定して設けているので、半導体光検出器のCR時定数の増大を防ぐことができ、高速な動作が可能な近接場光プローブを実現することができる。
Claim (excerpt):
半導体光検出器が形成された基板に、微小開口を有する貫通孔を設けた構造の近接場光プローブにおいて、上記半導体光検出器の受光領域を上記微小開口の近傍に限定して設けたことを特徴とする近接場光プローブ。
IPC (3):
H01L 31/10 ,  G11B 7/135 ,  H01L 31/02
FI (3):
H01L 31/10 A ,  G11B 7/135 Z ,  H01L 31/02 A
F-Term (37):
5D119AA11 ,  5D119AA22 ,  5D119BA01 ,  5D119CA06 ,  5D119CA09 ,  5D119JA44 ,  5D119KA02 ,  5D119KA14 ,  5D119KA28 ,  5F049MA04 ,  5F049MB02 ,  5F049NA03 ,  5F049NA15 ,  5F049NA20 ,  5F049NB08 ,  5F049PA14 ,  5F049QA06 ,  5F049QA20 ,  5F049RA02 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ10 ,  5F049SZ20 ,  5F088AA03 ,  5F088AB02 ,  5F088BA02 ,  5F088BA20 ,  5F088BB10 ,  5F088CB14 ,  5F088DA01 ,  5F088DA17 ,  5F088DA20 ,  5F088EA02 ,  5F088EA04 ,  5F088EA11 ,  5F088EA16 ,  5F088GA03 ,  5F088HA10

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