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J-GLOBAL ID：200903093005831125

半導体レーザ素子

Inventor： 田中 俊明 ,  皆川 重量 ,  川中 敏 ,  柳澤 浩徳
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993058943
Publication number (International publication number)：1994275907
Application date： Mar. 18, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】 基本横モードAlGaInP半導体レーザにおいて、短波長で高出力特性を有したレーザ素子を提供する。【構成】 半導体基板上1に形成された活性層4とそれを挾んだp型光導波層2,3,5,7からなる半導体光導波構造において、光導波層に用いる材料を活性層と同じ材料からなるものとし、活性層材料の組成を変えるか或いは原子の配列構造を秩序的であることから無秩序的に変えることにより、禁制帯幅を少なくとも該光導波層にり50〜60meV以上大きく設定し、該活性層材料より屈折率を低くし、少なくとも0.02〜0.03以上の屈折率差を設ける。【効果】 発振波長が680〜690nmの範囲であり、100mW以上の高出力特性を有するAlGaInPレーザ素子を得ることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された活性層とそれを挾んだp型及びn型光導波層からなる半導体光導波構造において、光導波層に用いる材料を活性層と同じ材料からなるものとし、活性層材料の組成を変えるか或いは原子の配列構造を秩序的であることから無秩序的に変えることにより、禁制帯幅を少なくとも該光導波層より50〜60meV以上大きく設定し、該活性層材料より屈折率を低くし、少なくとも0.02〜0.03以上の屈折率差を設けることを特徴とする半導体レーザ素子。