Pat

J-GLOBAL ID：200903093016853040

半導体レーザ装置

Inventor： 岡井 誠
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993271431
Publication number (International publication number)：1995131104
Application date： Oct. 29, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】広帯域に渡って平坦な周波数変調応答特性を有する半導体レーザを実現することである。【構成】共振器の共振方向に屈折率の周期的摂動と利得の周期的摂動とを同時に有する活性層3上に回折格子7が配設された半導体レーザ装置であって、回折格子7の周期に不等ピッチ成分を存在せしめ、両者の周期的摂動の位相が一致していると共に、不均一な周期成分領域を有する半導体レーザ装置によって構成される。不均一な周期成分領域を有する回折格子7としては、例えば周期的摂動の位相が不連続となる領域を有するもの、周期的摂動の周期が異なる領域を2つ以上有するもの、周期的摂動の周期が不均一な領域を有するもの等が挙げられる。【効果】1kHz〜20GHzの広帯域に渡って平坦な周波数変調応答特性を有する半導体レーザを得ることができる。

Claim (excerpt)：

共振器の共振方向に屈折率の周期的摂動と利得の周期的摂動とを同時に有する半導体レーザ装置であって、両者の周期的摂動の位相が一致していると共に、不均一な周期成分領域を有して成る半導体レーザ装置。