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J-GLOBAL ID：200903093017112558

半導体装置の製造方法

Inventor： 伊藤 信哉
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997023571
Publication number (International publication number)：1998223884
Application date： Feb. 06, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 従来、配線層形成後にMOSトランジスタのしきい値電圧を制御する方法は、ステップ数が多いという問題があった。【解決手段】 半導体基板上にゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース領域、ドレイン領域を有するMOSトランジスタ素子を形成する工程と、層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜を介してコンタクトを形成する工程と、前記コンタクト部を含む前記層間絶縁膜上に配線層を形成する工程と、水素イオンを所定のMOSトランジスタ素子のチャネル領域近傍に水素濃度のピークが位置するように注入する工程と、熱処理を行う工程を含む。

Claim (excerpt)：

MOSトランジスタ素子のしきい値制御を行う半導体装置の製造方法において、前記しきい値制御を水素イオンで行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• MIS型半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-052236   Applicant：富士電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-256747   Applicant：シヤープ株式会社