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J-GLOBAL ID：200903093020249254

半導体装置

Inventor： 米田 義之 ,  辻 和人 ,  河西 純一 ,  薗 陸郎
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992276294
Publication number (International publication number)：1993211261
Application date： Oct. 14, 1992
Publication date： Aug. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は実装時における半田付け性を良好とするためリードにめっきが施される半導体装置に関し、Pd膜の特性を生かしながら装置としての信頼性をも向上することを目的とする。【構成】 半導体チップ2と、この半導体チップ2を搭載するダイパッド3と、半導体素子2とダイパッド3を封止したパッケージ6と、半導体チップ2と電気的に接続され、パッケージ6から突出する複数のリード4により構成される半導体装置において、リード4を構成するリード本体4-1を純ニッケルNiで構成し、かつ、このリード本体4-1にパラジウム(Pd)膜7を形成した。

Claim (excerpt)：

半導体チップ(2)と、半導体チップを搭載するダイパッド(3)と、半導体チップ(2)とダイパッドとを封止したパッケージ(6)と、半導体チップ(2)と電気的に接続され、パッケージ(6)から突出する複数のリード(4)を有する半導体装置において、各リードは純度99%以上の純ニッケル(Ni)からなるリード本体(4-1)と該リード本体(4-1)上に形成されたパラジウム(Pd)の膜(7)とから構成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/50 ,  C23C 2/04 ,  H01L 23/48