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J-GLOBAL ID：200903093030429811

電子線又はX線用ポジ型レジスト組成物

Inventor： 青合 利明
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 小栗 昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000372986
Publication number (International publication number)：2002174894
Application date： Dec. 07, 2000
Publication date： Jun. 21, 2002
Summary：

【要約】【課題】 電子線又はX線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上を目指すものであり、電子線又はX線の使用に対して感度と解像度、レジスト形状の特性を満足する電子線又はX線用ポジ型レジスト組成物を提供すること、更に半導体素子の量産性に適合した高加速電圧の次世代EB照射装置(スループット向上を目指した、EBブロック照射機又はEBステッパー(逐次縮小投影照射機))に対応できる、高感度を示す電子線又はX線用ポジ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】 特定の酸を発生し得る基を有する繰り返し単位を有する樹脂及び酸の作用により分解する分子量3,000以下の低分子溶解阻止化合物を含有することを特徴とする電子線又はX線用ポジ型レジスト組成物。

Claim (excerpt)：

(A)下記一般式(II)で示される繰り返し単位を有する樹脂、及び(B)酸の作用により分解する分子量3,000以下の低分子溶解阻止化合物を含有することを特徴とする電子線又はX線用ポジ型レジスト組成物。【化1】式中、R3は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有していても良い、アルキル基又はハロアルキル基を表す。R4は置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基もしくはアラルキル基を表す。A1は、単結合、置換基を有しても良い、2価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基もしくはアリーレン基、又は-O-CO-R9-、-CO-O-R10-、-CO-N(R11)-R12-を表す。R9、R10、R12は同じでも異なっていても良く、単結合、又はエーテル構造、エステル構造、アミド構造、ウレタン構造もしくはウレイド構造を有しても良く、置換基を有していても良い、2価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基又はアリーレン基を表す。R11は水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基又はアリール基を表す。

IPC (5)：

G03F 7/004 503 ,  G03F 7/004 501 ,  C08K 5/00 ,  C08L 57/10 ,  H01L 21/027

FI (5)：

G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/004 501 ,  C08K 5/00 ,  C08L 57/10 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (40)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB15 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CC20 ,  4J002BC02X ,  4J002BC11X ,  4J002BC12W ,  4J002BC12X ,  4J002BE02X ,  4J002BG07W ,  4J002BG07X ,  4J002BG13W ,  4J002CC04X ,  4J002EA047 ,  4J002EB006 ,  4J002EJ077 ,  4J002EL067 ,  4J002EL087 ,  4J002EU186 ,  4J002EU216 ,  4J002EV057 ,  4J002EV207 ,  4J002EV227 ,  4J002EV236 ,  4J002EV246 ,  4J002EV296 ,  4J002FD200 ,  4J002FD206