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J-GLOBAL ID：200903093042617800
半導体製造方法並びにその装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
柳野 隆生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991133502
Publication number (International publication number)：1994073598
Application date： May. 08, 1991
Publication date： Mar. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】半導体ウェハーを均一な厚みでメッキ処理を施したり、同様に化成処理等を行うものである。【構成】上方を開放した処理槽1の上方に半導体ウェハーWをその被処理面を下にして保持し、処理槽1内の複数箇所より処理液を供給することにより処理槽1の上方からオーバーフローさせながら、処理槽1内に配設された下部電極2と上部電極3間に電流を流して半導体ウェハーWにメッキ、化成等の処理を施すものである。
Claim (excerpt)：
上方を開放した処理槽の上方に半導体ウェハーをその被処理面を下にして保持し、処理槽内の複数箇所より処理液を供給することにより処理槽の上方からオーバーフローさせながら、処理槽内に配設された下部電極と上部電極間に電流を流して半導体ウェハーにメッキ、化成等の処理を施す半導体製造方法。
IPC (3)：
C25D 17/00
, C25D 5/08
, H01L 21/288
