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J-GLOBAL ID：200903093044734790
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992176316
Publication number (International publication number)：1994021053
Application date： Jul. 03, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】コンタクト孔内の高融点金属膜のエッチバックによる膜厚減を防ぐ。【構成】コンタクト孔を含む表面に設けたタングステン膜7を接着膜6をエッチングストッパとしてエッチバックし、コンタクト孔内に埋込んだ後アルミニウム膜8を堆積し、アルミニウム膜8及び接着膜6を順次エッチングして配線を形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に設けた層間絶縁膜にコンタクト孔を形成する工程と、前記コンタクト孔を含む表面に密着性を向上させる接着膜及び高融点金属膜を順次堆積する工程と、前記接着膜をエッチングストッパとして前記高融点金属膜をエッチバックし前記コンタクト孔内に埋込む工程と、前記高融点金属膜を含む表面に金属膜を堆積してパターニングし前記高融点金属膜と電気的に接続する配線を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
H01L 21/88 D
, H01L 21/88 R
