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J-GLOBAL ID：200903093056492783

量子素子の製造方法

Inventor： 山下 一郎
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001015381
Publication number (International publication number)：2002223016
Application date： Jan. 24, 2001
Publication date： Aug. 09, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 常温で安定に作動する単電子トランジスタや単電子メモリーとして生産可能な量子素子を低温プロセスでプラスチック基板上に作成する製造方法を提供する。【解決手段】 a)水溶液の上に張られたLB膜またはペプチド膜に金属タンパク質複合体を吸着させる工程と、b)金属タンパク質を吸着させた膜を表面に絶縁層又は半導体層を有する基板に載せ、基板をオゾンにさらすことによりタンパク質成分を消失させる工程と、c)残置された金属部分を還元し金属原子凝集体を得る工程を含む量子素子の製造方法。基板表面上に金属タンパク質が内包可能な直径が7nm以下の金属原子凝集体Mからなる量子ドットを配置し、オゾン処理等の低温プロセスにてタンパク質だけを除去して量子ドットを作成する。

Claim (excerpt)：

(a)水溶液の上に張られたLB膜またはペプチド膜に金属タンパク質複合体を吸着させる工程と、(b)上記金属タンパク質を吸着させた上記膜を、表面に絶縁層又は半導体層を有する基板に載せ、上記基板をオゾンにさらすことによりタンパク質成分を消失させる工程と、(c)残置された金属部分を還元し金属原子凝集体を得る工程を含むことを特徴とする量子素子の製造方法。

IPC (6)：

H01L 51/00 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/06 601 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/861 ,  H01L 33/00

FI (6)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 29/06 601 D ,  H01L 29/66 S ,  H01L 33/00 C ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/91 G

F-Term (9)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F083FZ01