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J-GLOBAL ID：200903093062349968

機能素子

Inventor： 櫛部 光弘 ,  四戸 孝 ,  大橋 弘通 ,  今井 聖支 ,  畠山 哲夫
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001285753
Publication number (International publication number)：2003101038
Application date： Sep. 19, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】 格子不整合が少なく、または熱膨張係数がほぼ一致している半導体層と電極層の積層構造を持つ機能素子を提供する。【解決手段】 ヘキサゴナル結晶構造のc軸面もしくはキュービック結晶構造の(111)面を表面に持つSiC層又はAlxGayIn1-x-yN(0≦x、0≦y、1-x-y≦1)層とこれらの層上にc軸面配向するように形成された、化学式MB2(ここで、Mは1種以上の金属元素)で表される、P6/mmm結晶構造を持つ二硼化金属層とを有する。

Claim (excerpt)：

ヘキサゴナル結晶構造のc軸面もしくはキュービック結晶構造の{111}面を有するSiC層と、前記SiC層の前記c軸面又は{111}面に接して、前記SiC層のc軸又は<111>軸とc軸とを一致させて配向するよう形成された、化学式MB2(ここで、Mは1種以上の金属元素)で表され、P6/mmm結晶構造を持つ硼化物層とを有する機能素子。

IPC (9)：

H01L 29/872 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 29/26 ,  H01L 33/00 ,  H01L 39/22 ZAA ,  H01S 5/042 614 ,  H01S 5/323 610

FI (10)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 Z ,  H01L 29/26 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01L 39/22 ZAA G ,  H01S 5/042 614 ,  H01S 5/323 610 ,  H01L 29/48 D

F-Term (46)：

4M104AA03 ,  4M104BB35 ,  4M104BB37 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD43 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104GG04 ,  4M113AB05 ,  4M113AD36 ,  4M113AD40 ,  4M113AD63 ,  4M113AD68 ,  4M113BA14 ,  4M113BA15 ,  4M113BA18 ,  4M113CA39 ,  5F041AA24 ,  5F041AA40 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA84 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F052JA07 ,  5F052JA08 ,  5F052KA01 ,  5F073AA61 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA35