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J-GLOBAL ID：200903093068735622
電力増幅用マイクロ波トランジスタ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991299465
Publication number (International publication number)：1993136607
Application date： Nov. 15, 1991
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 内部整合型FETに、その構成要素であるFETチップ、Auワイヤ、チップコンデンサの容量値等のばらつきによりインピーダンスが変動しても、安定して抵抗挿入の効果が期待できる改良構造とし、安定なマイクロ波増幅装置を実現する。【構成】 外囲器101内に電界効果形トランジスタチップと、該トランジスタチップのインピーダンスを所望の抵抗に整合するように変換するための整合回路を有する内部整合形電力用電界効果型トランジスタにおいて、前記整合回路が絶縁性基板14,104上に良導電性金属薄膜を設けた分布定数回路を含み、この分布定数回路を構成するマイクロストリップライン14a,104aの少なくとも二か所が抵抗薄膜で構成され、かつ前記抵抗薄膜間のマイクロストリップラインの電気長が、使用する周波数における波長の約1/4である。
Claim (excerpt)：
外囲器内に電界効果形トランジスタチップと、該トランジスタチップのインピーダンスを所望の抵抗に整合するように変換するための整合回路を有する内部整合形電力用電界効果型トランジスタにおいて、前記整合回路が絶縁性基板上に良導電性金属薄膜を設けた分布定数回路を含み、この分布定数回路を構成するマイクロストリップラインの少なくとも二か所が抵抗薄膜で構成され、かつ前記抵抗薄膜間のマイクロストリップラインの電気長が、使用する周波数における波長の約1/4である事を特徴とする電力増幅用マイクロ波トランジスタ。
IPC (3)：
H01P 5/08
, H01L 23/04
, H03F 3/60
