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J-GLOBAL ID：200903093080808406
圧電デバイス及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
上柳 雅誉 (外1名)
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP1999006091
Publication number (International publication number)：WO2000033455
Application date： Nov. 01, 1999
Publication date： Jun. 08, 2000
Summary：
【要約】入出力用の電極パターン3が形成されたベース1のセンターには、開口部が形成されている。一方、半導体集積回路2の能動素子面の対向する2辺には、複数のバンプ4が形成されており、開口部のセンターに半導体集積回路2が搭載されるようになっている。そして、半導体集積回路2は、ベース1の電極パターン3と複数のバンプ4により超音波接合手段により接合されている。これによって、フリップチップボンディングした半導体集積回路とベースとの接合特性の良い、機械的なショックや熱衝撃等に強く高信頼性の安価な小型薄型の圧電デバイス及びその製造方法を提供する。
Claim (excerpt)：
半導体集積回路と圧電振動子とをパッケージに内蔵した圧電デバイスにおいて、 入出力用の電極パターンが形成されたベースのセンターに開口部が形成され、前記開口部のセンターに前記半導体集積回路が搭載され、前記半導体集積回路は前記ベースの電極パターンと複数のバンプにより接合されている ことを特徴とする圧電デバイス。
IPC (3)：
H03B 5/32
, H03H 3/02
, H03H 9/10
H03B 5/32 J
, H03H 3/02 Z
, H03H 9/10
