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J-GLOBAL ID：200903093083245020

薄膜の形成方法

Inventor： 中村 吉孝 ,  小林 伸好 ,  五嶋 秀和 ,  本間 喜夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993016142
Publication number (International publication number)：1994232076
Application date： Feb. 03, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【構成】 原料ガスの化学反応により薄膜を形成するCVD法において、原料ガスと反応せずHeやArに比べて比熱の大きな希釈ガスを、前記原料ガスに混入する。【効果】 本発明によれば、CVD法による薄膜形成時に、成膜速度を低下させず、また気相反応が抑制されることによりパーティクルの発生量が低減される効果があり、半導体装置製造時の歩留まりの上昇を期待できる。さらに良好な選択性を得ることができる。また、通常の半導体製造装置を用いて容易に達成できるために、経済的効率(コスト)の点でも極めて優れている。

Claim (excerpt)：

原料ガスと、希釈ガスとの混合ガスを用いて、化学気相成長法(CVD法)により基板表面上に膜を形成する薄膜の形成方法において、上記希釈ガスは上記原料ガスと反応せず、かつ上記希釈ガスの比熱が37J/mol・K(25°Cにおける値)以上であることを特徴とする薄膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/205