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J-GLOBAL ID：200903093086443930
加工溝深さ検出方法とその装置、並びにイオンミリング装置および電子・光学素子製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
秋本 正実
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992305385
Publication number (International publication number)：1994094427
Application date： Nov. 16, 1992
Publication date： Apr. 05, 1994
Summary：
【要約】【目的】 加工状態にある加工溝に対し、その溝の深さをインプロセスで検出すること。【構成】 例えばイオンミリング装置では、プラズマ13中のイオンが試料基板16に入射されることで溝加工が行われているが、その溝加工に並行して、レーザ発振器17よりレーザ光を偏光手段21を介しS偏光光、またはP偏光光として試料基板16上に照射する一方、その試料基板16からの0次、1次の回折光を光検出器18で検出するようにすれば、試料基板16上に形成されつつある溝の深さが溝加工状態で連続的に検出され得るものである。
Claim (excerpt)：
被加工対象面上の、加工状態にある溝に対しレーザ光を該被加工対象面に対し斜方向より照射した状態で、被加工対象面、あるいは該被加工対象裏面からの反射レーザ光における0次回折光、高次回折光各々の回折光強度を連続的に検出した上、該回折光強度の検出情報にもとづき、予め求められている0次回折光および高次回折光の回折効率と溝深さとの関係を参照することによって、加工状態にある溝の深さが連続的に検出されるようにした加工溝深さ検出方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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