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J-GLOBAL ID：200903093110612315

窒化物半導体発光素子およびそれを用いた光学装置

Inventor： 高倉 輝芳 ,  津田 有三
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001063421
Publication number (International publication number)：2002270969
Application date： Mar. 07, 2001
Publication date： Sep. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】 InGaN系井戸層にAs、PまたはSbを含有させることによって生じる結晶系分離および相分離を抑制し、結晶性および発光効率の向上した窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 複数の井戸層と1つまたは複数の障壁層とが組み合わされた発光層107を有する窒化物半導体発光素子が提供され、該素子において、井戸層は、式InAlGaN1-x-y-zAsxPySbz(式中、0≦x≦0.1、0≦y≦0.2、0≦z≦0.05、x+y+z>0)で表される窒化物からなる。InGaN系井戸層に添加されるAs、PまたはSbの組成比を所定の範囲内とし、さらにAlを添加することにより、結晶系分離および相分離が抑制できる。

Claim (excerpt)：

複数の井戸層と1つまたは複数の障壁層とが組み合わされた発光層を有する窒化物半導体発光素子であって、前記井戸層が、式InAlGaN1-x-y-zAsxPySbz(式中、0≦x≦0.1、0≦y≦0.2、0≦z≦0.05、x+y+z>0)で表される窒化物からなることを特徴とする、窒化物半導体発光素子。

IPC (3)：

H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

F-Term (41)：

5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA53 ,  5F041CA54 ,  5F041CA56 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041FF11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC12 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073BA06 ,  5F073BA07 ,  5F073BA09 ,  5F073CA20 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB17 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA32 ,  5F073EA23