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J-GLOBAL ID：200903093123568404

増幅型固体撮像素子及びその製造方法

Inventor： 丸山 康 ,  阿部 秀司 ,  米本 和也 ,  上野 貴久 ,  山根 淳二
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996070438
Publication number (International publication number)：1997162380
Application date： Mar. 26, 1996
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】 画素MOSトランジスタを有する増幅型固体撮像素子において、ブルーミングの発生を抑制し、信号電荷量の増加を可能にする。【解決手段】 第1導電型の半導体基板22上に第2導電型のオーバーフローバリア領域23及び第1導電型半導体領域24が順次形成され、第1導電型半導体領域24にソース領域27、ドレイン領域28及びゲート部26からなる画素MOSトランジスタ29が形成され、ドレイン領域28直下の第1導電型半導体領域24内にゲート部の第1導電型半導体領域に蓄積された信号電荷に対する第2導電型チャネルストップ領域41が形成された構成とする。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板上に第2導電型のオーバーフローバリア領域及び第1導電型半導体領域が順次形成され、前記第1導電型半導体領域にソース領域、ドレイン領域及びゲート部からなる増幅型画素トランジスタが形成され、前記ドレイン領域直下の前記第1導電型半導体領域内に、前記ゲート部の前記第1導電型半導体領域に蓄積された信号電荷に対する第2導電型のチャネルストップ領域が形成されて成ることを特徴とする増幅型固体撮像素子。

IPC (3)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/08 331 ,  H04N 5/335

FI (3)：

H01L 27/14 A ,  H01L 27/08 331 B ,  H04N 5/335 U