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J-GLOBAL ID：200903093125523904

プラズマCVD装置用電極板及びその表面処理方法

Inventor： 飯田 謙二
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 蔦田 璋子 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997348060
Publication number (International publication number)：1999181570
Application date： Dec. 17, 1997
Publication date： Jul. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】 プラズマCVD装置の反応室(チャンバー)1中において、CVDによる堆積層が剥離して生じるダスト量を低減することで、液晶セル等の製造における不良を減少させる。【解決手段】 プラズマCVD装置中に装着される電極板4の表面をブラスト処理又は溶射により、表面粗さが、最大高さ(Rmax)値において40〜100μm、ピッチ(λa)値において50μm以下とする。電極板4の表面とCVDによる堆積層との間でのアンカー効果の増大により、層間接着性を向上させる。

Claim (excerpt)：

電子デバイス製造用プラズマCVD装置の反応室内に装着される電極板において、前記電極板の表面粗さにおける最大高さの値が40〜100μmであることを特徴とするプラズマCVD装置用電極板。

IPC (4)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (4)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 Z