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J-GLOBAL ID：200903093126257418

バリアメタル皮膜の窒化方法

Inventor： 大川 章 ,  西郷 雅子
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 梶原 辰也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993172175
Publication number (International publication number)：1995078785
Application date： Jun. 18, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】 低温度雰囲気でバリアメタル皮膜の窒化処理を行える窒化方法を提供する。【構成】 アミンガスとアンモニアガスとの混合ガス雰囲気中でバリアメタル皮膜を窒化処理する。【効果】 アミンガスは400°C以下の低温度で熱分解して窒化に供されるNを放出するため、窒化処理を低温度で行える。その結果、窒化処理によって、シリコン基板に不具合を生じさせることなく、バリアメタル皮膜の表面に所定厚さの窒化層を形成することができる。この窒化層が形成されたバリアメタル皮膜によって、配線材料のアルミニウムとシリコン基板内のシリコンとの反応を確実に防止できる。

Claim (excerpt)：

基板に形成されている電極上に形成されており電気配線が電気的に接続されるバリアメタル皮膜が窒化されるバリアメタル皮膜の窒化方法において、前記バリアメタル皮膜が少なくともアミンガスを含む雰囲気中で窒化処理されることを特徴とするバリアメタル皮膜の窒化方法。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 A