Pat
J-GLOBAL ID：200903093141763796
トンネル磁気抵抗効果素子およびその製造方法ならびにトンネル磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三反崎 泰司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001344701
Publication number (International publication number)：2002237628
Application date： Nov. 09, 2001
Publication date： Aug. 23, 2002
Summary：
【要約】【課題】 室温下において、高TMR比が得られると共に、低抵抗が得られ、トンネルバリア層の厚みを従来より大きくすることのできるトンネル磁気抵抗効果素子、トンネル磁気抵抗効果型ヘッドおよびそれらの製造方法を提供する【解決手段】 TMR素子70は、第1の強磁性層24と、トンネルバリア層30と、第2の強磁性層42とが順に積層された構造を有する。トンネルバリア層30は、ニッケルクロム酸化物(NiCrOx)等を含むようにする。
Claim (excerpt)：
外部磁場により磁化方向が自由に変化可能な強磁性フリー層を含む第1の電極と、外部磁場に影響されず特定方向に磁化が固定される強磁性ピンド層を含む第2の電極と、前記強磁性フリー層と前記強磁性ピンド層との間に挟まれたトンネルバリア層とを備え、前記トンネルバリア層は、ニッケル(Ni)と、少なくとも1種の非磁性材料とを含む酸化合金薄層を有することを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
IPC (6)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/32
, H01F 41/32
, H01L 43/12
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/32
, H01F 41/32
, H01L 43/12
, G01R 33/06 R
2G017AA01
, 2G017AB07
, 2G017AD55
, 2G017AD65
, 5D034BA02
, 5D034BA03
, 5D034DA07
, 5E049BA12
, 5E049BA16
, 5E049CB02
, 5E049DB12
