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J-GLOBAL ID：200903093145008941

ラッピング後の半導体ウエーハの洗浄方法

Inventor： 宮崎 誠一 ,  岡田 純佳
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社 ,  長野電子工業株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997054099
Publication number (International publication number)：1998242087
Application date： Feb. 21, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 酸エッチング時の外周端部における突起の発生を防止する。【解決手段】 単結晶棒をスライシングし、得られた半導体ウエーハに面取り加工、ラッピング、酸エッチングそして鏡面研磨を施すことからなる半導体鏡面ウエーハの製造工程において、前記ラッピングの後、酸エッチングの前に半導体ウエーハを強アルカリ性水溶液で洗浄し、その際、半導体ウエーハの表面を4〜8μm溶解することを特徴とする、ラッピング後の半導体ウエーハの洗浄方法。

Claim (excerpt)：

単結晶棒をスライシングし、得られた半導体ウエーハに面取り加工、ラッピング、酸エッチングそして鏡面研磨を施すことからなる半導体鏡面ウエーハの製造工程において、前記ラッピングの後、酸エッチングの前に半導体ウエーハを強アルカリ性水溶液で洗浄し、その際、半導体ウエーハの表面を少なくとも4μm溶解することを特徴とする、ラッピング後の半導体ウエーハの洗浄方法。

IPC (6)：

H01L 21/304 321 ,  B05D 5/00 ,  B08B 3/08 ,  B24B 55/06 ,  C23F 1/40 ,  C23G 1/14

FI (6)：

H01L 21/304 321 A ,  B05D 5/00 ,  B08B 3/08 A ,  B24B 55/06 ,  C23F 1/40 ,  C23G 1/14