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J-GLOBAL ID：200903093149802367

半導体発光装置

Inventor： 平野 良一 ,  大村 悦司 ,  武本 彰 ,  鴫原 君男
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993206036
Publication number (International publication number)：1994314857
Application date： Aug. 20, 1993
Publication date： Nov. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 放熱用金属ブロック及びパッケージステムの熱膨張率の差に起因する温度変化による発光点の移動を抑制し、光出力の変動を小さくする。また半導体レーザモジュールのトラッキングエラーを小さくする。【構成】 放熱用金属ブロック102の形状を、半導体レーザ装置103が載置される方向にも延長して存在せしめ、半導体レーザ装置103の発光点104が、放熱用金属ブロック102の重心G,あるいはその近傍に位置し、かつ該発光点104がパッケージステム101の中心軸A上に位置する構造とした。また、ステム1の表面を光出射に垂直な面からある角度θ傾けて取り付け、上記光出射に垂直な面における,ステム1による線膨張長さと、ブロック2による線膨張長さが、打ち消すような幾何学的配置で組立を行う。

Claim (excerpt)：

半導体発光素子を、放熱用ヒートシンクブロックを介してパッケージステム上に載置してなる半導体発光装置において、上記半導体発光素子の発光点は、上記パッケージステムの中心軸上に位置するとともに、該発光点は、上記放熱用ヒートシンクブロックの重心,あるいはその近傍に位置することを特徴とする半導体発光装置。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/52 ,  H01L 23/36