トンネル磁気抵抗効果型ヘッド

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：皿田秀夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999177977
Publication number (International publication number)：2001006130
Application date： Jun. 24, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】より簡易に高記録密度化に対応することができる、改善された新規な電極構造を備えるTMRヘッドを提供する。また、TMR変化率の低下がなく、超高密度記録に適用できるよう大きなヘッド出力が得られるトンネル磁気抵抗効果ヘッドを提供する。【解決手段】トンネル多層膜にセンス電流を流す手段として、トンネル多層膜にセンス電流をながすための電極と磁気シールドの両方の機能を果たす、電極-シールド兼用層(common lead and shield layer)を電気的に接合(electricalcontact)させ、当該電極-シールド兼用層は、読み取り出力を向上させるためにABS(Air Bearing Surface)からトンネル多層膜の後部へと入り込みつつトンネル多層膜の後部へ延長されるようにデザインされており、トンネル多層膜の後部に位置する電極-シールド兼用層の一部分が読み取り出力を向上させるためのバックフラックスガイドとして機能してなるように構成する。

Claim (excerpt)：

トンネルバリア層と、トンネルバリア層を挟むようにして形成された強磁性フリー層と強磁性ピンド層が積層されたトンネル多層膜を有するトンネル磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記トンネル多層膜の積層方向の両側のうち少なくとも片側には、トンネル多層膜にセンス電流をながすための電極と磁気シールドの両方の機能を果たす、電極-シールド兼用層(common lead and shield layer)が、電気的に接合(electrical contact)されており、前記一つの電極-シールド兼用層は、読み取り出力を向上させるためにABS(Air Bearing Surface)からトンネル多層膜の後部へと入り込みつつトンネル多層膜の後部へ延長されるようにデザインされており、トンネル多層膜の後部に位置する電極-シールド兼用層の一部分が読み取り出力を向上させるためのバックフラックスガイドとして機能してなることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果型ヘッド。

IPC (2)：

G11B 5/39 , H01L 43/08

FI (2)：

G11B 5/39 , H01L 43/08 Z

F-Term (4)：

5D034BA04 , 5D034BA08 , 5D034BB09 , 5D034CA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

薄膜磁気ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-036767 Applicant：松下電器産業株式会社
磁気抵抗効果型ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-100844 Applicant：松下電器産業株式会社
特開昭57-003220

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