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J-GLOBAL ID：200903093170092116

半導体レーザ

Inventor： 浜田 弘喜
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 丸山 敏之 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992130308
Publication number (International publication number)：1993327114
Application date： May. 22, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 電流注入領域における局所的な電流密度の上昇を緩和して、高出力動作での長寿命を達成出来る半導体レーザを提供する。【構成】 n-GaAs基板1上に、n-AlGaInPクラッド層3、GaInP活性層4、p-AlGaInPクラッド層5、p-GaInPコンタクト層6を形成すると共に、共振器端面の近傍には夫々n-GaAs電流阻止層7を形成し、p-AlGaInPクラッド層5は、両電流阻止層7、7に挟まれた電流注入領域51のキャリア濃度が、電流非注入領域よりも高く形成されている。

Claim (excerpt)：

第1導電型半導体基板(1)上に、第1導電型クラッド層(3)、活性層(4)及び第2導電型クラッド層(5)を形成した半導体レーザにおいて、少なくとも第2導電型クラッド層(5)を含む結晶層は、キャリア濃度が共振器長方向に変化して、共振器端面の近傍部にて低濃度、共振器中央部にて高濃度に形成されていることを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体レーザおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-106324   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開昭60-132381