半導体集積回路装置の形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：菅野中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991336346
Publication number (International publication number)：1993152438
Application date： Nov. 26, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】クロックスキューが小さいクロック同期回路を実現する。【構成】複数のバッファ3〜9が1又は複数段のクロックツリー構造に構成され、スキューを考慮してバッファ間の配線をバランス配線としたものをクロックツリーブロック2とし、ASIC方式にしたがってブロック2を選択し、それぞれを半導体チップ上に配置してASICによる半導体集積回路を組立てる。これにより、ASICによる高い汎用性を生かしたまま、クロックスキューの小さいクロック同期回路を容易に構成できる。

Claim (excerpt)：

クロックツリーブロックを有する特定顧客向け半導体集積回路装置の形成方法であって、クロックツリーブロックは、親バッファと、親バッファから順に分岐した複数段のバッファの組合せによるクロックツリー構造からなり、内部セルアレイ領域中に配置された素子セルを用いて形成され、電気的及び幾何学的に統一されたものであり、親バッファから見た各段の終段バッファまでの配線距離は、等しく設定され、ASIC(Application Specific InlegralCurcuit)方式にしたがって、クロックツリーブロックの組合せを選択してチップ上に配置し、あるいは、必要に応じ非選択として所要の論理機能を実行する半導体集積回路を形成することを特徴とする半導体集積回路装置の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/82 , H01L 27/118 , H01L 27/04

FI (2)：

H01L 21/82 B , H01L 21/82 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平2-093917
特開昭63-069262
特開平4-217345

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