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J-GLOBAL ID：200903093180595574

水素窒素プラズマを用いた低容量誘電体層のエッチング

Inventor： エリングボエ・スーザン ,  フランナー・ジャネット・エム. ,  モーレイ・イアン・ジェイ.
Applicant, Patent owner： ラム リサーチ コーポレーション
Agent (1)： 五十嵐 孝雄 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000565564
Publication number (International publication number)：2002522922
Application date： Aug. 13, 1999
Publication date： Jul. 23, 2002
Summary：

【要約】【課題】 プラズマ処理チャンバにおいて、低容量誘電体層をエッチングするための方法。【解決手段】 低容量誘電体層は、好ましくは、parylene、BCB、SILKのような有機材料であり、基板上において、ハードマスク層の下に配置される。この方法は、N2 およびH2 を含み、オプションとして酸素含有ガスが添加されたエッチング化学物質をプラズマ処理チャンバに流入させる工程と、エッチング化学物質からプラズマを生成する工程とを含む。また、この方法は、炭化フッ素化学物質を用いて同じチャンバ内でパターン形成される、ハードマスク層の開口部を通じて低容量誘電体層をエッチングする工程を含む。

Claim (excerpt)：

プラズマ処理チャンバにおいて、基板上のハードマスク層の下に配置される低容量誘電体層をエッチングするための方法であって、 N2 およびH2 を含むエッチング化学物質を前記プラズマ処理チャンバ内に流入させる工程と、 前記エッチング化学物質からプラズマを生成する工程と、 前記プラズマ処理チャンバにおいて、前記プラズマを使用して、前記ハードマスク層の開口部を通じて前記低容量誘電体層をエッチングする工程と、を備える方法。

F-Term (13)：

5F004BA20 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA02 ,  5F004DA15 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB23 ,  5F004EA03 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07