Pat

J-GLOBAL ID：200903093189004439

半導体レーザー

Inventor： 石橋 晃 ,  大畑 豊治
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993349647
Publication number (International publication number)：1995202318
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 短波長で発光可能でしかも低しきい値電流密度の半導体レーザーを実現する。【構成】 単一量子井戸構造または多重量子井戸構造の活性層5を有し、活性層5を構成する量子井戸層がZn<SB>1-x-y </SB>Mg<SB>x </SB>Cd<SB>y </SB>S<SB>z </SB>Se<SB>1-z </SB>系化合物半導体(ただし、0≦x<1、0≦y<1、0≦z<1)から成る半導体レーザーにおいて、量子井戸層の厚さWをW<εh<SP>2 </SP>/πm<SB>eff </SB>e<SP>2 </SP>が成立するように設定する。ここで、εは量子井戸層の誘電率、hはプランク定数、m<SB>eff </SB>は量子井戸層中に生成される励起子の換算有効質量、eは電気素量である。

Claim (excerpt)：

単一量子井戸構造または多重量子井戸構造の活性層を有し、上記活性層を構成する量子井戸層がZn<SB>1-x-y </SB>Mg<SB>x </SB>Cd<SB>y </SB>S<SB>z </SB>Se<SB>1-z </SB>系化合物半導体(ただし、0≦x<1、0≦y<1、0≦z<1)から成る半導体レーザーであって、上記量子井戸層の厚さをW、上記量子井戸層の誘電率をε、上記量子井戸層中に生成される励起子の換算有効質量をm<SB>eff </SB>、電気素量をe、プランク定数をhとしたとき、W<εh<SP>2 </SP>/πm<SB>eff </SB>e<SP>2</SP>が成立することを特徴とする半導体レーザー。