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J-GLOBAL ID：200903093194062218

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 小林 昭志
Applicant, Patent owner： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
Agent (1)： 石島 茂男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998368958
Publication number (International publication number)：2000195861
Application date： Dec. 25, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】CCD等の撮像デバイスに適した半導体装置、及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板12の素子形成面の裏面側からエッチングを行い、金属パッド20裏面にスルーホール22を形成し、メッキ等によって金属を析出させ、バンプ34を形成する。バンプ34が基板12の裏面側に形成されるので、素子形成面上には遮蔽物がなく、撮像デバイスに適している。メッキではなく、金属ボールをスルーホール22上に配置し、熱処理して金属ボールの溶融物でスルーホール22内を充填してもよい。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板の第1の面側に形成された金属パッドとを有する半導体装置であって、前記半導体基板の前記金属パッド底面下には、前記第1の面とは反対側の第2の面に開口するスルーホールが設けられた半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/60 ,  H01L 27/14

FI (4)：

H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 602 Z ,  H01L 21/92 602 J ,  H01L 27/14 D

F-Term (32)：

4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118HA31 ,  4M118HA33 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK04 ,  5F033KK08 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033NN06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033TT02 ,  5F033TT07 ,  5F033XX00