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J-GLOBAL ID：200903093198529498

エミッタ電極引出し配線およびその作製方法

Inventor： 柳原 学 ,  太田 順道
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992196696
Publication number (International publication number)：1994045345
Application date： Jul. 23, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)のエミッタ電極引出し配線において、段切れや引出し配線の厚さが局所的に薄くることがない構造および作製方法を提供する。【構成】 エミッタ電極8とエミッタメサを形成後、Si3 N4 膜10の堆積、レジスト11のパターニングを行い、ドライエッチングによりSi3 N4 膜10の窓開けを行い、それに接続する引出し配線12を作製する。【効果】 エミッタ電極引出し配線を形成する部分の凹凸を小さくすることができるため、引出し配線の段切れや、引出し配線の厚さが局所的に薄くることがないエミッタ電極引出し配線を容易に作製することが可能である。

Claim (excerpt)：

メサ構造のエミッタ領域を有するバイポーラトランジスタのエミッタ電極引出し配線において、エミッタ電極との接触長さが、エミッタ電極長と等しいことを特徴とするエミッタ電極引出し配線。

IPC (3)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205