Pat
J-GLOBAL ID：200903093202924542
光半導体装置およびその製造方法
小林 二三彦
, About 小林 二三彦
宮澤 丈夫
, About 宮澤 丈夫
森 英史
About 森 英史
Applicant, Patent owner：
日本電信電話株式会社
About 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994324755
Publication number (International publication number)：1996181389
Application date： Dec. 27, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 異なる方向からなる導波路から構成されていても、平坦に埋め込まれたBH構造とすることを目的とする。【構成】 電極接続層5上に、酸化シリコンからなる選択成長マスク13を形成し、これをマスクとして、電極接続層5,オーバークラッド層4,活性層3,バッファ層2および基板1の一部を選択的にエッチングする。ただし、ここで、この発明においては、ダミー部16を残すようにエッチングし、かつ溝14は溝15よりその幅が広くなるように形成する。
Claim (excerpt)：
基板上に形成された活性層を含む導波路と、前記導波路に沿って前記基板上に形成されたダミー部と、結晶成長により前記導波路とダミー部との間を埋めるように形成された埋め込み層とを有し、前記導波路の側面とこれに対向するダミー部の側面との結晶軸方向が対称性により同一であり、前記埋め込み層の結晶成長速度が速い結晶面となっている側面を有する前記導波路とダミー部との間の間隔は、前記埋め込み層の結晶成長速度がそれより遅い結晶面となっている側面を有する前記導波路とダミー部との間の間隔より、広くなっていることを特徴とする光半導体装置。
IPC (3)：
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
-
特開平1-187944
-
特開平4-127148
-
特開平4-330765
Copyright (c) 2009 Japan Science and Technology Agency. All Rights Reserved