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J-GLOBAL ID:200903093215684036
ダイヤモンド状被膜形成方法及び装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
西野 卓嗣
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993298241
Publication number (International publication number):1996165196
Application date: Nov. 29, 1993
Publication date: Jun. 25, 1996
Summary:
【要約】【目的】 反応ガスのイオン化効率、又は中性化効率を高め、装置を大型化することなく、従来法より成膜速度を高めたダイヤモンド状被膜形成方法及び装置を提供する。【構成】 真空チャンバ8内に配置された陽極19に向けてアーク放電プラズマ流9を発生させ、前記陽極19から前記アーク放電プラズマ流9中に炭素原子を含む反応ガスを供給すると同時に、前記真空チャンバ8内に配置された基板16に所定の高周波電圧を印加して、該基板16上にダイヤモンド状被膜を形成する。
Claim (excerpt):
真空チャンバ内に配置された陽極に向けてアーク放電プラズマ流を発生させ、前記陽極から前記アーク放電プラズマ流中に炭素原子を含む反応ガスを供給すると同時に、前記真空チャンバ内に配置された基板に所定の高周波電圧を印加して、該基板上にダイヤモンド状被膜を形成することを特徴とするダイヤモンド状被膜形成方法。
IPC (4):
C30B 29/04
, C23C 16/26
, C23C 16/50
, C30B 25/14
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
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ダイヤモンド状被膜形成方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-261120
Applicant:三洋電機株式会社
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