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J-GLOBAL ID：200903093215783263

光メモリーディスク

Inventor： 池谷 晃
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 寒川 誠一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994070511
Publication number (International publication number)：1995282466
Application date： Apr. 08, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】 各ビットに三進数以上の数情報を記録することができて情報記録密度が高く、読み出し光に対する制限の少ない光メモリーディスクを提供することを目的とする。【構成】 基板1上に、半導体層よりなるスペーサ層Sn と発光層Ln とを交互に積層するように構成する。

Claim (excerpt)：

基板(1)上に、半導体層よりなる(n+1)枚のスペーサ層(Sn )と該スペーサ層(Sn )とエッチング選択性を有し、それぞれ異なる禁制帯幅を有する半導体層よりなるn枚の発光層(Ln )とが交互に積層されてなることを特徴とする光メモリーディスク。