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J-GLOBAL ID：200903093216296986

薄膜デバイスの製造方法および薄膜デバイス

Inventor：
浅野 明彦

About 浅野 明彦

, 
菅沼 真吉

About 菅沼 真吉


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005145065
Publication number (International publication number)：2006321674
Application date： May. 18, 2005
Publication date： Nov. 30, 2006
Summary：
【課題】基板上に薄膜層が形成されてなる薄膜デバイスにおいて、基板薄型化が進行しても、基板分断の際に意図せぬ割れが発生したり、分断後の強度低下が著しくなってしまうのを抑制する。【解決手段】基板上に薄膜層が形成されてなる薄膜デバイスを、前記基板となる板材101で当該基板の所望厚さよりも大きな厚さを有するものに対して、前記所望厚さよりも深いスクライブ溝102を形成する工程と、前記板材101の前記スクライブ溝102の形成面側に当該板材の厚さが前記所望厚さとなるまでエッチングを行う工程と、を経て製造する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板上に薄膜層が形成されてなる薄膜デバイスの製造方法であって、 前記基板となる板材で当該基板の所望厚さよりも大きな厚さを有するものに対して、前記所望厚さよりも深いスクライブ溝を形成する工程と、 前記板材の前記スクライブ溝の形成面側に当該板材の厚さが前記所望厚さとなるまでエッチングを行う工程と を含むことを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。
IPC (8)：
C03C 15/00 ,  G09F 9/00 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  G02F 1/13 ,  G02F 1/133 ,  G09F 9/30 ,  C03B 33/00
FI (8)：
C03C15/00 Z ,  G09F9/00 338 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  G02F1/13 101 ,  G02F1/1333 500 ,  G09F9/30 310 ,  C03B33/00
F-Term (37)：
2H088FA05 ,  2H088FA07 ,  2H088FA26 ,  2H088FA30 ,  2H088HA01 ,  2H088HA06 ,  2H088HA08 ,  2H088MA20 ,  2H090JA09 ,  2H090JB02 ,  2H090JC01 ,  2H090JD13 ,  2H090LA04 ,  3K007AB18 ,  3K007CA01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  4G015FA03 ,  4G015FB01 ,  4G059AA08 ,  4G059AB03 ,  4G059AC03 ,  4G059BB04 ,  4G059BB14 ,  5C094AA36 ,  5C094AA43 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094EB02 ,  5C094FA02 ,  5C094GB10 ,  5G435AA06 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435BB12 ,  5G435HH18 ,  5G435KK05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (7)
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