Pat
J-GLOBAL ID：200903093221802547
量子化Si光半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991341290
Publication number (International publication number)：1993175535
Application date： Dec. 24, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：
【要約】【目的】 Siを用いた光半導体装置に関し、新規な機構を有する量子化Si光半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 量子化されたレベルを有する活性Si領域と、前記活性Si領域を囲む絶縁物領域と、前記絶縁物領域の一方の側に配置されたp型Si領域と、前記絶縁物領域の他方の側に配置されたn型Si領域と、前記活性Si領域近傍に形成された窓領域とを有する。
Claim (excerpt)：
量子化されたレベルを有する活性Si領域(5)と、前記活性Si領域(5)を囲む絶縁物領域(6、7)と、前記絶縁物領域(6、7)の一方の側に配置されたp型Si領域(2)と、前記絶縁物領域(6、7)の他方の側に配置されたn型Si領域(1)と、前記活性Si領域近傍に形成された窓領域(8)とを有する量子化Si光半導体装置。
IPC (3)：
H01L 31/10
, H01L 33/00
, H01S 3/18
