微細レジストパターン形成用水溶性樹脂の選択方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：阿形明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001302553
Publication number (International publication number)：2003084448
Application date： Sep. 28, 2001
Publication date： Mar. 19, 2003
Summary：

【要約】【課題】レジスト微細化用塗膜を形成するための水溶性樹脂として、熱処理により、ホトレジストパターンを円滑に熱収縮させることができ、しかもレジストパターンの熱処理後に水洗により容易に除去しうるものを選択して、効率よく微細レジストパターンを形成させることを目的とする。【解決手段】基板上に形成したホトレジストパターンの少なくとも一部を水溶性樹脂で被覆したのち、熱処理することによりパターン間隔を縮小させ、次いで水溶性樹脂を完全に除去して微細レジストパターンを形成させるに当り、該水溶性樹脂として、あらかじめ上記レジストパターンを形成する前のレジスト膜の光硬化体上に塗布し、140°Cにおいて60秒加熱処理後、23°Cの純水で洗浄する試験を行って、60秒以内で完全に除去することができたものを選択し、使用する。

Claim (excerpt)：

基板上に形成したホトレジストパターンの少なくとも一部を水溶性樹脂で被覆したのち、熱処理することによりパターン間隔を縮小させ、次いで水溶性樹脂を完全に除去して微細レジストパターンを形成させるに当り、該水溶性樹脂として、あらかじめ上記レジストパターンを形成する前のレジスト膜の光硬化体上に塗布し、140°Cにおいて60秒加熱処理後、23°Cの純水で洗浄する試験を行って、60秒以内で完全に除去することができたものを選択し、使用することを特徴とする微細レジストパターン形成用水溶性樹脂の選択方法。

IPC (4)：

G03F 7/26 501 , G03F 7/40 501 , G03F 7/40 521 , H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/26 501 , G03F 7/40 501 , G03F 7/40 521 , H01L 21/30 575

F-Term (8)：

2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096EA05 , 2H096HA02 , 2H096HA30 , 2H096JA04 , 5F046NA15 , 5F046NA19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

半導体装置の製造方法及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-062047 Applicant：三菱電機株式会社
パタン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-192151 Applicant：株式会社日立製作所
微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-080940 Applicant：三菱電機株式会社

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