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J-GLOBAL ID：200903093267204474

発光体の製造方法

Inventor： 井原 優 ,  大野 勝利 ,  仙名 保 ,  磯部 徹彦 ,  五十嵐 崇裕
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997212171
Publication number (International publication number)：1998310770
Application date： Aug. 06, 1997
Publication date： Nov. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ナノ構造結晶を有し、付活剤が良好にドープされてなるII-VI族半導体からなる発光体を製造する、全く新規な発光体の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る発光体の製造方法は、共沈を利用した液相反応にて付活剤がドープされたII-VI族半導体を形成し、この液相反応中に有機酸を添加する。又は、本発明に係る発光体の製造方法は、共沈を利用した液相反応にて付活剤が添加されたII-VI族半導体を形成し、この液相反応終了後、高分子有機酸又はポリスチレンを添加する。

Claim (excerpt)：

共沈を利用した液相反応にて付活剤がドープされたII-VI族半導体を形成し、この液相反応中に有機酸を添加することを特徴とする発光体の製造方法。

IPC (2)：

C09K 11/54 CPC ,  C09K 11/08

FI (3)：

C09K 11/54 CPC ,  C09K 11/08 E ,  C09K 11/08 A