Pat

J-GLOBAL ID：200903093271823138

ひずみ検出器

Inventor： 倉島 茂美 ,  清水 信吉 ,  遠藤 みち子
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 穂坂 和雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994001275
Publication number (International publication number)：1995209100
Application date： Jan. 11, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は磁歪及び磁気抵抗効果をもつ強磁性薄膜を基板に形成し,該強磁性薄膜の抵抗値の変化を検出することにより該基板に加えられたひずみを測定するひずみ検出器に関し,高感度で正負の歪みを検出できるひずみ検出器を実現すると共に曲面等にも強磁性薄膜のパターンを作成することができて複雑な形状部分のひずみを検出することができることを目的とする。【構成】強磁性薄膜1を略正方形の形状とし,その内部磁化Mを対角線方向の一軸異方性に設定し,強磁性薄膜を順次電極2を介して1乃至複数個直列に接続するよう構成する。

Claim (excerpt)：

磁歪及び磁気抵抗効果をもつ強磁性薄膜を基板に形成し,該強磁性薄膜の抵抗値の変化を検出することにより該基板に加えられたひずみを測定するひずみ検出器において,前記強磁性薄膜を略正方形の形状とし,その内部磁化を対角線方向の一軸異方性に設定し,前記強磁性薄膜を順次電極を介して1乃至複数個直列に接続して構成することを特徴とするひずみ検出器。

IPC (4)：

G01L 1/12 ,  G01B 7/24 ,  G01L 3/10 ,  G01L 9/16