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J-GLOBAL ID:200903093280733796

ガスセンサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 菅原 正倫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999358801
Publication number (International publication number):2001174434
Application date: Dec. 17, 1999
Publication date: Jun. 29, 2001
Summary:
【要約】【課題】 検知素子の電極を覆うセラミック保護層の密着性と耐久性とをさらに良好なものとし、ひいてはより厳しい条件にて熱衝撃や冷熱サイクルが加わる場合においても、層剥離等の不具合を生じにくいガスセンサを提供する。【解決手段】 セラミック保護層2pの材質として、マグネシア・アルミナスピネル成分と、マグネシア・アルミナスピネル成分に関与しない過剰の酸化マグネシウム成分と、酸化ジルコニウムとを含有するものを使用することにより、層の密着性と耐久性とを一層向上させることができ、検知素子2に熱衝撃や冷熱サイクル等が加わる場合においても、層剥離等の不具合を生じにくくなる。。
Claim (excerpt):
酸化ジルコニウムを主成分とする酸素イオン伝導性固体電解質にて構成された検知素子上に1対の多孔質電極層が形成されるとともに、それら多孔質電極のうちの一方が被測定ガスに曝される検出側電極とされ、さらに、その検出側電極の表面がセラミック保護層にて覆われた構造を有し、前記セラミック保護層は、マグネシア・アルミナスピネル成分と、マグネシア・アルミナスピネル成分に関与しない過剰酸化マグネシウム成分と、さらに酸化ジルコニウム成分とを含有することを特徴とするガスセンサ。
F-Term (8):
2G004BB01 ,  2G004BC02 ,  2G004BE03 ,  2G004BF03 ,  2G004BF05 ,  2G004BF09 ,  2G004BH09 ,  2G004BJ02
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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