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J-GLOBAL ID：200903093285041906

高分子光導波路の製造方法

Inventor： 林田 尚一 ,  渡辺 俊夫 ,  吉村 了行
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996304655
Publication number (International publication number)：1998142438
Application date： Nov. 15, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 光集積回路などの導波型光部品に使用可能な高分子光導波路をより効率的に製造するための方法を提供すること。【解決手段】 高分子材料からなるコア部と、該コア部を取り囲み該コア部よりも屈折率の低い高分子材料からなるクラッド部とを有する高分子光導波路の製造において、基板1上に下部クラッド2、コア層3を順次形成し、無電解銅メッキによりコア層3上にメッキ核4を形成し、これをエッチングするための銅マスクパターンをフォトレジスト5で形成し、フォトリソグラフィーで、メッキにより析出した銅6をマスクとしてエッチングして、コアリッジ部7を形成し、全体を上部クラッド8で覆うことにより高分子光導波路を製造する。

Claim (excerpt)：

高分子材料からなるコア部と、該コア部を取り囲み該コア部よりも屈折率の低い高分子材料からなるクラッド部とを有する高分子光導波路の製造において、無電解銅メッキによりコア層エッチング用の銅マスクパターンを形成する工程を包含することを特徴とする高分子光導波路の製造方法。