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J-GLOBAL ID：200903093301755329

半導体角度センサ

Inventor： 二村 竜彦
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社
Agent (1)： 大川 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994199835
Publication number (International publication number)：1996061910
Application date： Aug. 24, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】ホール素子の出力電圧温度変動率(温度係数)及び永久磁石の磁束密度の温度変化率の両方を良好に補償可能なホール素子式の半導体角度センサを提供する。 温度急変時などにおけるホール素子と永久磁石との温度差の発生にもかかわらず、出力信号電圧の温度依存性を良好に抑止可能な半導体角度センサを提供する。【構成及び効果】回路基板2から立設された支持柱4に固定されたホール素子5の周囲を永久磁石8が回動する構成において、サーミスタ素子91が回動軸Sの軸心を基準として永久磁石8より径小位置かつホール素子5よりも径大位置に配設されるので、たとえホール素子5の温度と永久磁石8の温度が異なる場合でも、出力信号の誤差が小さくなる。

Claim (excerpt)：

ハウジングと、前記ハウジングに固定された回路基板と、前記回路基板に立設された支持柱と、前記支持柱の立設方向に沿って延設される回動軸と、前記支持柱を中心として回動可能に前記回動軸の先端部に固定される永久磁石と、前記支持柱に配設されて前記永久磁石の磁界に応じた信号電圧を発生するホール素子と、前記回動軸の径方向において前記永久磁石より径小かつ前記ホール素子よりも径大な位置に配設されるとともに温度に応じた信号を出力する温度補償素子と、前記温度補償素子の出力に基づいて前記ホール素子の出力電圧温度変化特性を補償する信号処理回路と、を備えることを特徴とする半導体角度センサ。

IPC (2)：

G01B 7/30 101 ,  G01D 5/14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 位置センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-174521   Applicant：日本電装株式会社
• スロツトルポジシヨンセンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-184750   Applicant：日本電装株式会社
• 特開平1-250084