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J-GLOBAL ID：200903093307458423

半導体受光素子

Inventor： 田中 清嗣
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995152500
Publication number (International publication number)：1996321632
Application date： May. 26, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：

【要約】【目的】 周波数特性を重視して使用する場合においても、高い受光効率および良好な応答特性を得ることができるくし型電極対向型の半導体受光素子を提供する。【構成】 半絶縁性半導体基板1上にn型半導体層2を設け、n型半導体層2中にn+ 型領域3を設ける。n型半導体層2に一方のくし型電極4をショットキー接触させ、n+ 型領域3に他方のくし型電極5をオーミック接触させる。くし型電極5は例えば接地し、くし型電極4にバイアス電圧VD を印加する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に一対のくし型電極が互いに対向して設けられた構造を有する半導体受光素子において、上記一対のくし型電極のうちの一方のくし型電極は上記半導体基板とショットキー接触しており、上記一対のくし型電極のうちの他方のくし型電極は上記半導体基板とオーミック接触していることを特徴とする半導体受光素子。

IPC (3)：

H01L 31/108 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/872

FI (3)：

H01L 31/10 C ,  H01L 29/44 F ,  H01L 29/48 F