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J-GLOBAL ID：200903093309312876

光起電力素子

Inventor： 佐野 政史 ,  中村 哲郎
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997207922
Publication number (International publication number)：1998125944
Application date： Aug. 01, 1997
Publication date： May. 15, 1998
Summary：

【要約】【課題】 光電変換効率が高く、かつ光劣化を低減させた、pin接合を複数有する光起電力素子を提供すること。【解決手段】 pin接合を複数有する光起電力素子において、光入射側から数えて第一のpin接合のi型半導体層がアモルファスシリコンを有し、第二のpin接合のi型半導体層が微結晶シリコンを有し、第三のpin接合のi型半導体層がアモルファスシリコンゲルマニウム又は微結晶シリコンゲルマニウムを有することを特徴とする光起電力素子とする。

Claim (excerpt)：

pin接合を複数有する光起電力素子において、光入射側から数えて第一のpin接合のi型半導体層がアモルファスシリコンを有し、第二のpin接合のi型半導体層が微結晶シリコンを有し、第三のpin接合のi型半導体層がアモルファスシリコンゲルマニウムを有することを特徴とする光起電力素子。

FI (2)：

H01L 31/04 W ,  H01L 31/04 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-188774
  
• 光起電力素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-349586   Applicant：キヤノン株式会社
• 光電変換素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-000115   Applicant：キヤノン株式会社