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J-GLOBAL ID：200903093313149360

透明導電膜の製造方法

Inventor： 宮崎 正美 ,  佐藤 一夫 ,  光井 彰 ,  西村 啓道
Applicant, Patent owner： 旭硝子株式会社
Agent (1)： 泉名 謙治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995248021
Publication number (International publication number)：1997087833
Application date： Sep. 26, 1995
Publication date： Mar. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】低い基板温度での成膜においても、低比抵抗の酸化亜鉛系透明導電膜が得られる透明導電膜の製造方法の提供。【解決手段】スパッタリング法により、酸化ガリウムを含有し酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を製造するにあたり、ターゲット表面における最大水平磁束密度を500〜1200ガウスとする。

Claim (excerpt)：

マグネトロンスパッタリング法により、酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を製造する方法において、酸化ガリウムを含有する酸化亜鉛を主成分とするターゲットを用い、ターゲット表面における最大水平磁束密度を500〜1200ガウスとすることを特徴とする透明導電膜の製造方法。

IPC (4)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/35 ,  H01B 13/00 503

FI (5)：

C23C 14/34 A ,  C23C 14/08 C ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/35 Z ,  H01B 13/00 503 B