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J-GLOBAL ID：200903093324668890

液晶の弾性定数比および誘電率異方性の測定方法

Inventor： 内田 龍男 ,  賀川 昌俊
Applicant, Patent owner： 内田 龍男
Agent (1)： 小林 英一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996166562
Publication number (International publication number)：1997311115
Application date： May. 22, 1996
Publication date： Dec. 02, 1997
Summary：

【要約】【課 題】 プレティルト角θ0が0 ゚でない場合にも精度のよい結果が簡単に得られる液晶の弾性定数比および誘電率異方性の測定方法を提供する。【解決手段】 θ0を測定し、θ0を考慮したC-V曲線の高電圧領域における所定の直線近似式の切片から誘電率異方性を求め、次いで低電圧領域におけるパラメータをフレデリクス閾値Vcにしぼり、該Vcを実測C-V曲線と所定の理論式による計算C-V曲線とのカーブフィッティングによって決定し、その値を用いて前記直線近似式の傾きαを求め、該αと前記誘電率異方性とを該直線近似式に代入して弾性定数比を求める。

Claim (excerpt)：

液晶セルに電圧Vの電界を印加し容量Cを測定して得られた実測C-V曲線に弾性定数K33、K11および誘電率εp、εcを含む理論式による計算C-V曲線をカーブフィッティングさせて弾性定数比K33/K11および誘電率異方性εp/εcを決定する液晶の弾性定数比および誘電率異方性の測定方法であって、以下(1)〜(4)の手順で行うことを特徴とする液晶の弾性定数比および誘電率異方性の測定方法。(1)プレティルト角θ0を測定する。(2)前記θ0を考慮した高電圧領域における直線近似の下記式(3A)の切片から誘電率異方性を求める。(3)低電圧領域におけるパラメータをフレデリクス閾値Vcにしぼり、該Vcを実測C-V曲線と下記式(1A)(2A)による計算C-V曲線とのカーブフィッティングによって決定する。(4)前記Vcを用いて下記式(3A)の傾きαを求め、該αと前記誘電率異方性とを下記式(4A)に代入して弾性定数比を求める。記【数1】ここに、Vc=π{K11/(εp-εc)}1/2、γ=εp/εc-1、κ=K33/K11-1、x=sinθ、θ:ガラス基板面に対する液晶分子長軸の傾き角、θm:液晶層中央におけるθの値、CN:θ0≠0 ゚の場合の電界非印加時容量、K11:スプレイの弾性定数、K33:ベンドの弾性定数、εp:分子長軸に平行方向の誘電率、εc:分子長軸に垂直方向の誘電率。

IPC (3)：

G01N 27/22 ,  G02F 1/13 101 ,  G01M 11/00

FI (3)：

G01N 27/22 Z ,  G02F 1/13 101 ,  G01M 11/00 T