Pat
J-GLOBAL ID：200903093335388180
半導体基板のウエット処理方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994056109
Publication number (International publication number)：1995263430
Application date： Mar. 25, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：
【要約】【目的】本発明は、半導体製品を製造するプロセスにおいて、洗浄、エッチングまたはリンス等のウエット処理で、酸性薬品やアルカリ性薬品の使用量を削減し、廃液処理しいては産業廃棄物の削減に寄与することを目的とする。【構成】電解質を微量添加した水を電気分解することで得られる、酸化性もしくは還元性を有する酸性、アルカリ性の各種電気分解水を半導体ウエーハの洗浄、エッチングまたはリンスに用いることで、従来の酸性薬品やアルカリ性薬品と同等以上の各種効果が得られ、半導体湿式プロセスにおける薬品使用量を大幅に削減する。
Claim (excerpt)：
純水に塩化アンモニウム、酢酸アンモニウム、弗化アンモニウム、硝酸アンモニウム、臭化アンモニウム、沃化アンモニウム、硫酸アンモニウム、蓚酸アンモニウム、炭酸アンモニウム、クエン酸アンモニウム、蟻酸アンモニウム、塩酸、アンモニア水の内より選定された少なくとも1種類よりなる電解質を8×10-2モル/リットルから2×10-5モル/リットルの範囲で添加した第1の水溶液を電気分解することによって生成された第2の水溶液を処理液としてこれに半導体ウエーハ被処理部を灌浸あるいは灌水する半導体ウエーハの処理方法。
IPC (4)：
H01L 21/308
, C09K 13/00
, H01L 21/304 341
, H01L 21/306
